[发明专利]沟槽型功率MOSFET器件及工艺方法在审
| 申请号： | 202110447772.X | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113224166A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 陈思彤;陈正嵘;谭艳琼;钱佳成;刘秀勇;李志国;吴长明 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型功率MOSFET器件,在半导体基片上具有第一外延层和第二外延层，所述第二外延层的表层中具有一层重掺杂注入层；一开口沟槽位于所述的第一外延层和第二外延层中，所述沟槽的底部位于第一外延层中，沟槽内填充多晶硅形成多晶硅沟槽栅极；在所述第二外延层与第一外延层之间，还包含有杂质浓度渐变层，杂质浓度的分布是从第二外延层底部往第一外延层的顶部逐渐降低，减少外延层在阱区底部的耗尽，从而降低短沟道器件沟道漏电以及源漏击穿的状况。杂质浓度渐变层为多层不同杂质浓度的薄的掺杂层叠加形成，其层数以及杂质浓度渐变层的厚度可以根据器件的不同性能要求来灵活调整，其工艺方法也便于实施。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 mosfet 器件 工艺 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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