[发明专利]一种降低flash cell区高度的方法

摘要

本发明提供一种降低flash cell区高度的方法，硅基底上的cell区和外围器件区的上表面设有氧化层；cell区的氧化层上设有浮栅层；浮栅层上设有ONO层；ONO层上设有控制栅多晶硅层；外围器件区的氧化层上设有栅极多晶硅层；在控制栅多晶硅层和栅极多晶硅层上覆盖光刻胶，对cell区的控制栅多晶硅层、浮栅层以及氧化层刻蚀形成多个相互间隔的层叠结构，在cell区和外围器件区域覆盖BARC层；在外围器件区域的BARC层上覆盖光刻胶；对cell区的BARC层进行刻蚀至露出控制栅结构的头部为止；对控制栅结构的头部进行刻蚀，并刻蚀至控制栅结构上表面与上级多晶硅层上表面的高度一致。本发明对控制栅结构进行刻蚀至使其与栅极多晶硅层的高度一致，有利于高密度等离子体的层间介质层的填充。