[发明专利]一种提高铁基纳米晶合金薄带电阻率的方法及合金薄带在审
| 申请号： | 202110448575.X | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113113205A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 朱林辉 | 申请（专利权）人： | 福建尚辉润德新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/153 | 分类号： | H01F1/153;C22C45/02;C22C33/06 |
| 代理公司： | 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙) 35222 | 代理人： | 陈晓思 |
| 地址： | 361000 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高铁基纳米晶合金薄带电阻率的方法及铁基纳米晶合金薄带。本发明通过采用纳米二氧化硅分散液和铁粉混合后除去分散液中的溶剂，形成铁粉/纳米二氧化硅复合物，再在铁基纳米晶合金的熔炼工序中加入铁粉/纳米二氧化硅复合物，使得纳米二氧化硅的重量为铁基纳米晶合金重量的0.05～0.2％。本发明采用纳米级别的二氧化硅既可以有效提高铁基纳米晶合金薄带的电阻率，同时对铁基纳米晶合金薄带的韧性影响较小，具有较好的实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 纳米 合金 电阻率 方法 | ||
【主权项】：
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