[发明专利]一种改善小尺寸接触孔工艺窗口的方法有效
| 申请号： | 202110449079.6 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113224000B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 朱作华 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善小尺寸接触孔工艺窗口的方法，提供多片晶圆，晶圆上自下而上依次设有NiSi层、CESL层、ILD层；在ILD层上形成光刻胶图形；按光刻胶图形刻蚀ILD层至露出CESL层上表面形成接触孔凹槽；对每片进行单片清洗；在凹槽侧壁和底部形成LTO层；沿凹槽侧壁继续向下刻蚀CESL层，CESL层上表面的LTO层被去除，直到向下刻蚀至露出NiSi层上表面为止，形成接触孔；将多片晶圆分多个批次以缩短孔蚀刻完到后续阻挡层沉积的时间，降低环境沾污的影响，利用原子层沉积法覆盖TiN薄层；多片晶圆合并进行接触孔钨填充。本发明使接触孔的形貌更加竖直，增大了接触孔与多晶硅连接的工艺窗口；解决了接触孔体积略微缩小带来的电阻问题和钨填充问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 尺寸 接触 工艺 窗口 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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