[发明专利]一种改善CIS产品负信号的方法有效
| 申请号： | 202110449080.9 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113224097B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 袁明;王柯;程刘锁;钱江勇;张继亮 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种改善CIS产品负信号的方法，提供硅基底；在硅基底上形成厚栅氧区域、P型阱以及N型阱；在厚栅氧区域、P型阱以及N型阱上形成栅氧层；在栅氧层上形成多晶硅层；对多晶硅层进行F离子注入。本发明中进行F离子注入，可以使栅氧层有效电性厚度增加，随转移管的逐步打开，输出信号呈上升趋势，负信号有明显改善，并且CIS器件的窗口进行了优化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 cis 产品 信号 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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