[发明专利]一种用于解决晶圆边缘聚酰亚胺残留的方法在审
| 申请号： | 202110449104.0 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113223930A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 程黎明;吴长明;姚振海;陈骆;王绪根;朱联合;刘冲;张基智;韩建伟;刘希仕;赵伟冬;巫畅 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于解决晶圆边缘聚酰亚胺残留的方法，在旋转的晶圆表面涂布聚酰亚胺，晶圆边缘残留有聚酰亚胺；对晶圆边缘进行第一次清洗，去除残留在晶圆边缘的聚酰亚胺；对晶圆进行软烘烤；对晶圆边缘进行第二次清洗，去除残留在晶圆边缘的聚酰亚胺。本发明避免了聚酰亚胺的晶边残留，保证了晶圆的正常生产。保证了聚酰亚胺的厚度不受晶圆边缘以及晶圆高转速影响，满足产品对膜厚的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 解决 边缘 聚酰亚胺 残留 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
