[发明专利]覆晶封装结构及其制作工艺在审
| 申请号： | 202110450236.5 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113451158A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 袁瑞鸿;陈彧;吴奕备;张智鸿;洪国展;杨皓宇;陈锦庆;朱澄;何坦 | 申请（专利权）人： | 福建天电光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/78;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/14 |
| 代理公司： | 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 362411 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种覆晶封装结构及其制作工艺，该制作工艺包括将第一锡膏体与第二锡膏体(或助焊剂)分别黏着于晶圆的正极与负极；切割晶圆，得到多个独立的覆晶芯片，其中，各个覆晶芯片的正极与负极分别黏着有第一锡膏体与第二锡膏体；将覆晶芯片黏有第一锡膏体与第二锡膏体的一侧设置于基板上；对第一锡膏体与第二锡膏体进行控温加热处理，融化第一锡膏体与第二锡膏体，以将覆晶芯片固定于基板上；对覆晶芯片进行封装处理。借此，可有效控制覆晶芯片上的锡膏用量，避免制程中因锡量不均匀或不当等问题造成覆晶封装结构导通失效的问题，提高覆晶封装结构的生产制程良率与可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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