[发明专利]一种薄层MXene/六方晶相二硫化钼复合材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202110450804.1 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113173601B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 史克英;吕贺;刘茁 | 申请（专利权）人： | 黑龙江大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;C01B32/921;G01N27/12;B82Y40/00;B82Y30/00;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 李红媛 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： |
一种薄层MXene/六方晶相二硫化钼复合材料及其制备方法和应用，它涉及一种MXene复合材料及其制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有MoS |
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| 搜索关键词： | 一种 薄层 mxene 六方晶相 二硫化钼 复合材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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