[发明专利]一种用于SOI基GaN晶圆及其制备方法在审
| 申请号： | 202110451631.5 | 申请日： | 2021-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN113257909A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 郑理;程新红;俞跃辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L27/12;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人： | 宋旭 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明涉及一种用于SOI基GaN晶圆及其制备方法，所述GaN晶圆由下到上依次包括：SOI衬底、AlN成核层、Al |
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| 搜索关键词： | 一种 用于 soi gan 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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