[发明专利]半导体结构及其形成方法、以及存储器

摘要

一种半导体结构及其形成方法、以及存储器，半导体结构包括：基底，包括多个分立的单元阵列区，用于形成存储单元；多条沿列向延伸且沿行向排布的隔离结构，位于基底中，单元阵列区的隔离结构的顶面低于基底的顶面；第一漏掺杂层，位于隔离结构沿行向第二侧露出的基底侧壁上；第二漏掺杂层，位于隔离结构沿行向第一侧露出的基底侧壁上；浮栅，位于单元阵列区的相邻隔离结构之间的部分基底上，且浮栅沿列向分立间隔排布；沿列向的源区，位于单元阵列区的相邻浮栅之间的基底内。本发明实施例使得第一漏掺杂层和二漏掺杂层的形成工艺免受离子注入工艺的限制，提高第一漏掺杂层和第二漏掺杂层的形成质量，优化半导体结构的性能。