[发明专利]一种平面CsPbI3有效

专利信息
申请号: 202110452671.1 申请日: 2021-04-26
公开(公告)号: CN113285030B 公开(公告)日: 2022-09-02
发明(设计)人: 楚树勇;张正国;刘海;柯义虎 申请(专利权)人: 北方民族大学
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48;H01L51/46
代理公司: 北京欣鼎专利代理事务所(普通合伙) 11834 代理人: 卢萍
地址: 750021 宁夏回族*** 国省代码: 宁夏;64
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摘要: 发明涉及一种平面CsPbI3电池的制备方法,所述平面CsPbI3电池为平面CsPbI3太阳能电池,包括:FTO导电玻璃的处理、TIO2电子传输层的制备、CsPbI3钙钛矿前驱溶液的制备、钙钛矿薄膜的制备、PCBM层的制备和金属电极的制备。本发明,通过向CsPbI3钙钛矿前驱体溶液中引入去离子水对CsPbI3前驱体溶液中存在的质子传递过程进行调控。通过前驱体溶液的可控结晶在低温条件下制备CsPbl3黑相薄膜,为高效、长时间稳定的CsPbI3;光伏器件制备提供材料支持。
搜索关键词: 一种 平面 cspbi base sub
【主权项】:
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