[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110452678.3 | 申请日： | 2021-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN115249743A | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 陈建 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底；第一介质层以及栅极结构，栅极结构包括金属栅层，栅极结构位于衬底上，且第一介质层覆盖栅极结构的侧壁；位于栅极结构的顶部表面的第一金属层；位于第一介质层上的第二介质层；位于第一介质层和第二介质层内的若干第一开口，第一开口暴露出第一金属层的部分顶部表面；位于第一开口内的第一导电插塞。由于金属选择性生长工艺是利用金属钨能够在金属表面生长的特性，因此先在栅极结构的顶部表面形成了第一金属层，进而能够通过金属选择性生长工艺形成第一导电插塞。避免了额外在第一开口内形成高阻止的附着层，降低了第一导电插塞与栅极结构之间的接触电阻，提升最终形成的半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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