[发明专利]一种生长CZT单晶锭的方法在审
| 申请号： | 202110453520.8 | 申请日： | 2021-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN113512762A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 庞昊;谢雨凌 | 申请（专利权）人： | 合肥庞碲新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48;C30B11/00;C04B41/85 |
| 代理公司： | 合肥正则元起专利代理事务所(普通合伙) 34160 | 代理人： | 刘勇 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市经济技术开发*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种生长CZT单晶锭的方法，属于半导体材料制造工艺技术领域，该种生长CZT单晶锭的方法，包括以下步骤：步骤A、将无定形无定形三氧化二硼和微米级石墨粉质量比混合形成混合浆料；步骤B、将混合浆料以刷浆法或脉冲电弧放电沉积法均匀涂覆在热解氮化硼坩埚内壁上；步骤C、将碲化锌多晶体合成料置于热解氮化硼坩埚内放肩区，并在籽晶区放入籽晶，然后将热解氮化硼坩埚放入石英容器内，加热熔融、冷却、CZT单晶锭生长，生长完成后获得一种CZT单晶锭。且本发明将无定形三氧化二硼和石墨粉混合形成混合浆料涂覆在热解氮化硼坩埚内壁上，使得生长平面和切割面的夹角小于4°，减小CZT衬底片上不同区域的Zn元素含量波动。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 czt 单晶锭 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥庞碲新材料科技有限公司，未经合肥庞碲新材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110453520.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
