[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110453579.7 | 申请日： | 2021-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN115249704A | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 金吉松 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，半导体结构的第一晶体管结构中，第一沟道层在基底上的投影为第一图形，第一栅电极层在基底上的投影为第二图形，第一源漏掺杂层在基底上的投影为第三图形，第二晶体管结构中，第二沟道层在基底上的投影为第四图形，第二栅电极层在基底上的投影为第五图形，在第二方向上，相邻第一图形和第四图形部分重合或者并列设置，在第一方向上，相邻第二图形和第五图形部分重合或者并列设置，且相邻第五图形露出相邻所述第二图形之间的部分第三图形，因此，第一栅电极层和第一源漏掺杂层被第二晶体管结构完全遮挡的概率较低，从而易于通过插塞将第一晶体管结构中第一栅电极层和第一源漏掺杂层的电性引出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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