[发明专利]一种碳碳化硅陶瓷靶坯的制备方法有效
| 申请号： | 202110454130.2 | 申请日： | 2021-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN113135756B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;王巨宝;王学泽;杨慧珍 | 申请（专利权）人： | 上海戎创铠迅特种材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/528 | 分类号： | C04B35/528;C04B35/565;C04B35/622;C04B35/645;B28B3/02 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 201401 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳碳化硅陶瓷靶坯的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：将碳‑碳化硅复合粉装模进行冷压，之后依次进行热压烧结和降温，得到所述碳碳化硅陶瓷靶坯；所述碳‑碳化硅复合粉中颗粒的球形度为0.8‑1，粒度为120‑180μm；所述热压烧结包括依次进行的第一保温、第二保温和保温保压。通过对制备过程中原料球形度及配比的控制，并采用预先冷压的方式实现了高性能的靶坯的制备，制备得到的靶坯和背板焊接时可以实现良好的浸润，进而保证靶材和背板可以实现良好的焊接，焊接结合率高达99％及以上，致密度可达99％以上，成材率也可达98％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
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