[发明专利]一种金刚石半导体的制备装置和制备工艺有效

专利信息
申请号: 202110454221.6 申请日: 2021-04-26
公开(公告)号: CN113290926B 公开(公告)日: 2021-11-05
发明(设计)人: 余斌;余海粟;朱轶方;陆骁莹 申请(专利权)人: 杭州超然金刚石有限公司
主分类号: B30B15/06 分类号: B30B15/06;B30B15/26;B30B15/34;C01B32/28
代理公司: 杭州信义达专利代理事务所(普通合伙) 33305 代理人: 陈继算
地址: 311402 浙江省杭州市萧山区*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种金刚石半导体的制备装置,属于半导体制备领域,包括六个顶压单元,每个顶压单元包括顶压锤和驱动顶压锤的驱动油缸,六个顶压单元中,至少两个相互对立侧的所述顶压单元内部设置有导电元件,导电元件与各自的顶压锤之间形成电接触,相互对立侧的两个顶压锤与被挤压在该两个顶压锤端面之间的金刚石半导体形成电性通路,两个相互对立侧的顶压单元内的导电元件相互串联至电路检测器上,以对挤压在两个顶压锤端面之间的金刚石半导体进行导电检测。本发明还公开了一种金刚石半导体的制备工艺。本发明的优点在于可以一次性完成成品制备,同时可以提高成品的良品率,而且大大降低金刚石半导体的制作成本。
搜索关键词: 一种 金刚石 半导体 制备 装置 工艺
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