[发明专利]一种原位太赫兹波谱电化学装置及其制备方法在审
申请号: | 202110455193.X | 申请日: | 2021-04-26 |
公开(公告)号: | CN113178505A | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 陆亚林;傅正平;黄秋萍;熊兵;王建林;黄浩亮;程浩 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | H01L31/115 | 分类号: | H01L31/115;H01S1/00;H01S3/091 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆宗力 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本申请公开了一种原位太赫兹波谱电化学装置及其制备方法,该装置由铁磁薄膜和非铁磁薄膜构成太赫兹波发射器,通过飞秒激光泵浦铁磁薄膜产生超快自旋流,由于铁磁薄膜和非铁磁薄膜界面处的逆自旋霍尔效应,使得铁磁薄膜的自旋流转变为非铁磁薄膜的瞬变电荷流,从而在所述非铁磁薄膜一侧辐射出太赫兹波,产生的太赫兹波通过电催化剂层、电解液和对电极后入射到所述太赫兹波探测器中,实现了针对材料电导和载流子的一种亚皮秒时间分辨率的非接触的原位探测,除此之外,该装置还可用于研究太赫兹波对电化学过程的影响。该装置利用太赫兹波发射器将飞秒激光转换为太赫兹波,无需外加太赫兹波光源,具有结构以及制备工艺简单的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 原位 赫兹 波谱 电化学 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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