[发明专利]射频半导体器件的制备方法及其结构在审
| 申请号： | 202110456795.7 | 申请日： | 2021-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN113192836A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 李海滨;许明伟;樊晓兵 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇芯通信技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/423 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 518035 广东省深圳市福田区华富街道莲*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了一种射频半导体器件的制备方法及其结构，该方法包括：在衬底上制备缓冲层，并在缓冲层上外延形成第一结构层；在第一结构层的上表面沉积第一钝化层，并在第一钝化层的上表面通过刻蚀工艺形成凸形结构；在凸形结构的外侧通过刻蚀工艺形成侧墙结构；根据凸形结构、侧墙结构和第一钝化层在第一结构层内形成重掺杂的第一区域；或者，根据凸形结构、侧墙结构和第一钝化层在第一表面区域上外延形成重掺杂的第一外延层，第一表面区域为回刻第一结构层后所露出的表面区域，从而有利于实现自对准和小尺寸结构的栅极工艺集成，提高射频半导体器件的性能，以及保证制备的源漏极具有较小的寄生电阻和接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 半导体器件 制备 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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