[发明专利]一种MEMS流量传感器及制备方法有效
| 申请号： | 202110457870.1 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113175963B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 蔡春华;毕恒昌;吴幸;王超伦 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | G01F1/688 | 分类号： | G01F1/688;G01F1/692 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 杜阳阳 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS流量传感器及制备方法，该传感器的硅衬底内部设有密闭空腔，硅衬底上铺设有氧化硅绝缘层，氧化硅绝缘层上设有热电堆、第一加热电阻和第二加热电阻；第一加热电阻和第二加热电阻分别位于热电堆的两侧，且以热电堆的中心线为对称轴对称设置，第一加热电阻的两端分别设置有第一压焊块，第二加热电阻的两端分别设置有第二压焊块，热电堆的两端分别设置有第三压焊块；热电堆、第一加热电阻和第二加热电阻的上方覆盖氧化硅绝缘层，氧化硅绝缘层上方覆盖氮化硅保护层；热电堆、第一加热电阻和第二加热电阻构成的整体结构的外围设有隔热槽；隔热槽的槽底上依次铺设有氧化硅保护层和氮化硅保护层。本发明提高了测量精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 流量传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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