[发明专利]铜催化刻蚀硅片刻蚀液用添加剂、刻蚀体系及刻蚀方法在审
申请号: | 202110459517.7 | 申请日: | 2021-04-27 |
公开(公告)号: | CN113292999A | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 李绍元;洪世豪;马文会;吕国强;于洁;万小涵 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | C09K13/00 | 分类号: | C09K13/00;H01L21/306;H01L31/18 |
代理公司: | 北京谱帆知识产权代理有限公司 11944 | 代理人: | 王芊雨 |
地址: | 650504 云南*** | 国省代码: | 云南;53 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种用于铜催化刻蚀硅片刻蚀液的添加剂、刻蚀体系及刻蚀方法,其中,添加剂为包括:金属络合剂、酸度调节剂和水。该酸度调节剂选自柠檬酸、乙酸或磷酸中的一种或几种;该金属络合剂选自乙二胺四乙酸、水杨酸或六次甲基四胺中的一种或几种。刻蚀体系由添加剂与铜催化刻蚀液进行混合制得到。本添加剂所得刻蚀液,与不含添加剂刻蚀液相比,本发明的刻蚀体系对硅片进行刻蚀制绒,刻蚀反应条件更温和,硅片减重率更低,制备得到的硅片表面倒金字塔尖刺减少,结构更加均匀和圆滑,硅片表面反射率能够进一步降低,特别适合未来薄片化硅片的制绒工艺,具有工业实用价值。 | ||
搜索关键词: | 催化 刻蚀 硅片 添加剂 体系 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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