[发明专利]一种芯片热源分层的热模型建模方法在审
| 申请号： | 202110459672.9 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113158475A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 邓二平;陈杰;刘鹏;黄永章 | 申请（专利权）人： | 华电（烟台）功率半导体技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F119/08 |
| 代理公司： | 烟台智宇知识产权事务所(特殊普通合伙) 37230 | 代理人： | 李彬 |
| 地址： | 264006 山东省烟台市开*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种芯片热源分层的热模型建模方法，涉及热模型仿真领域。将芯片分为两个面热源和一个体热源。第一面热源的芯片集电极侧PN结距离集电极表面非常近，该部分产生的热量定义在集电极表面，第二面热源的沟道区距离芯片发射极表面非常近，该部分产生的热量定义在发射极表面，在热模型中定义为面热源；体热源的基区厚度占整个芯片厚度的98％左右，该部分产生的热量定义在整个芯片有源区中，在热模型中定义为体热源。通过对芯片集电极侧PN结开启电压、芯片基区电阻和芯片发射极侧沟道区的电阻的提取。不需要进行复杂的半导体仿真，即可提高传统单一热源仿真模型的精度，实现了对仿真难度和精度的兼顾。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 热源 分层 模型 建模 方法 | ||
【主权项】：
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