[发明专利]SiGe工艺中基于SCR的ESD防护器在审
| 申请号： | 202110461415.9 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113299640A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 刘静;刘纯;党跃栋 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 杨洲 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | SiGe工艺中基于SCR的ESD防护器，包括自下而上依次设置衬底，n阱区，p阱区，隔离槽，n阱接触n+区，SiGe_p+区，n+区，p阱接触p+区，在SiGe_p+层与n阱区界面处的能带存在明显的凸起，阻碍了载流子的注入，降低寄生PNP管的增益，削弱SCR内部的正反馈机制，本发明一种SiGe工艺下的基于SCR的新型ESD防护器件能够在不改变常规基于SCR的ESD防护器件结构掺杂浓度，尺寸等关键参数的情况下，显著提高维持电压，能更好的适用于集成电路ESD防护领域中低压窄窗口。 | ||
| 搜索关键词： | sige 工艺 基于 scr esd 防护 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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