[发明专利]具有应力集中结构的微压传感器芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110462410.8 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113218544B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 赵立波;李学琛;韩香广;乔智霞;皇咪咪;李伟;徐廷中;杨萍;高漪;王鸿雁;关卫军;吴永顺;李支康;朱瑄;王久洪;魏于昆;山涛;蒋庄德 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学;陕西省计量科学研究院;西安航天动力研究所 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;G01L9/06;G01L19/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 王艾华 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了具有应力集中结构的微压传感器芯片及其制备方法，包括承压薄膜、双C型槽、硅基底、压敏电阻条、金属引线和防过载玻璃基底。硅基底背面深硅刻蚀形成承压薄膜以及半岛与岛屿结构，在硅基底正面刻蚀两组C型槽。相对应的两个C型槽之间形成应力集中区域，四个压敏电阻条布置在该应力集中区域上。芯片背腔的岛屿与岛屿之间、岛屿与半岛之间的间隙可以进一步提高压敏电阻条处的应力集中效果。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 应力 集中 结构 传感器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学;陕西省计量科学研究院;西安航天动力研究所，未经西安交通大学;陕西省计量科学研究院;西安航天动力研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110462410.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
