[发明专利]一种磁传感器阵列校准方法有效

专利信息
申请号: 202110463248.1 申请日: 2021-04-23
公开(公告)号: CN113514789B 公开(公告)日: 2022-06-07
发明(设计)人: 于向前;宗秋刚;肖池阶;刘斯;曲亚楠;陈鸿飞;邹鸿;施伟红;王永福;陈傲;高爽;邵思霈 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: G01R35/00 分类号: G01R35/00
代理公司: 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 代理人: 高园园
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种磁传感器阵列校准方法,该方法通过构建磁传感器阵列的正交坐标系,确定磁传感器测量的磁场的输出值与标准磁场的实际值之间的函数关系,并根据记录的磁传感器的输出值获得磁传感器的转换系数。本发明提供了一种磁传感器阵列的准确校准方法,能够提高磁传感器阵列的校准精确度。另外,本发明还可以采用椭球拟合的方法获得所述磁传感器的每一个传感器轴对应的比例因子,并根据该比例因子以及转换系数与磁传感器的角度偏差之间的函数关系,进一步获得磁传感器的角度偏差。
搜索关键词: 一种 传感器 阵列 校准 方法
【主权项】:
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