[发明专利]一种探测器级高纯锗单晶籽晶及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202110463466.5 | 申请日： | 2021-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN113172777B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 郝昕;甘林;胡世鹏;孙慧斌;赵海歌;罗奇;钟健;吴正新 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00;B28D7/04;B24B7/17;B24B7/22;C30B33/00 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 李莹 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种探测器级高纯锗单晶籽晶及其制备方法和应用，涉及半导体核辐射探测材料技术领域。制备方法包括：将轴向为100晶向的圆柱形的锗单晶底面固定在砧板上；沿轴向切一刀切到锗单晶的底部；重复两次沿径向移动3mm后，沿轴向切一刀到距底部3mm处；沿径向移动3mm后，沿轴向切一刀切到锗单晶的底部，得到中间件；将中间件平放并固定到砧板上，将中间件一侧面的单晶片切断并取下；每间隔3mm沿着垂直于中间件底边的方向切割到中间件的底部，得到多个半成品；将半成品侧面的单晶片切断并取下；打磨半成品的两切割面；将半成品的尖端加工为圆柱形，头部加工为半球形，以得到籽晶。本发明制得的籽晶同轴性好、生产效率高及成品率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 探测器 高纯 锗单晶 籽晶 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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