[发明专利]一种具有超低阈值电压的双向选通器及其制备方法

摘要

一种具有超低阈值电压的双向选通器及其制备方法，双向选通器从下到上依次是底电极、阻变层、顶电极，底电极为导电玻璃FTO，即掺氟的SnO2薄膜；阻变层材料为(CsxFAyMA1‑x‑y)Pb(IzBr1‑z)3，阻变层材料通过低温溶液旋涂法制得；顶电极为Ag。步骤：首先，在FTO导电玻璃衬底的导电面上滴加(CsxFAyMA1‑x‑y)Pb(IzBr1‑z)3溶液，并涂抹均匀后进行旋涂，在旋涂结束前滴加反溶剂氯苯使钙钛矿快速结晶；其次，在90～110℃下退火处理20～40分钟，在导电面上得到卤素钙钛矿薄膜；最后，通过真空热蒸发法在钙钛矿薄膜上沉积顶电极。本发明不需要高温工艺，采用低温溶液旋涂工艺，一步成膜，对设备要求简单，成本比较低，可用于阻变阵列集成；双向选通器可以实现双向超低阈值电压(小于0.2V)，选通性能开关比大于104，可实现对于RRAM器件开关电压更广的匹配范围与选通能力。