[发明专利]一种异质结半导体光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种异质结半导体光电探测器及其制备方法，使用不同GeSe堆垛结构来制备光电探测器，该光电探测器包括该光电探测器包括衬底(1)、右电极(2)、双层GeSe‑AD堆垛(3)、双层旋转GeSe‑AB堆垛(4)、左电极(5)；其中衬底(1)为最底层，在其上面附着有双层GeSe‑AD堆垛(3)和位于双层GeSe‑AD堆垛(3)两旁的右电极(2)和左电极(5)，在双层GeSe‑AD堆垛(3)上堆叠着双层旋转GeSe‑AB堆垛(4)。本发明以双层GeSe‑AD堆垛为给体，以双层旋转GeSe‑AB堆垛为受体，二者为同种材料的不同堆垛结构，很容易达到晶格匹配；GeSe材料不易和氧气发生反应，不易发生退化；且器件制备工艺简单。