[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括相邻接的第一器件区和第二器件区，基底上形成有沟道结构，包括一个或多个堆叠的沟道叠层，包括第一牺牲层和位于第一牺牲层上的沟道层，在第一器件区和第二器件区交界处，相邻沟道结构之间的基底上形成有隔离墙，基底上还形成有伪栅结构，伪栅结构两侧的基底上形成有源漏掺杂层，相邻源漏掺杂层通过隔离墙相隔离；在基底上形成层间介质层，露出伪栅结构顶部；去除伪栅结构，形成栅极开口；去除栅极开口露出的隔离墙；去除栅极开口露出的第一牺牲层；去除栅极开口露出的隔离墙和第一牺牲层后，形成环绕覆盖沟道层的栅极结构。栅极结构环绕覆盖沟道层，增大了沟道层中用于作为沟道的面积。