[发明专利]晶体硅太阳能电池片光注入方法及其系统和电池片在审
| 申请号： | 202110465238.1 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113241390A | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 庞瑞卿;吕闯;时宝;陈刚 | 申请（专利权）人： | 天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/042 |
| 代理公司： | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 | 代理人： | 贾振勇 |
| 地址： | 300400 天津市北辰区天津北辰*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明适用于晶体硅太阳能电池片技术领域，提供了一种晶体硅太阳能电池片光注入方法及其系统和电池片。晶体硅太阳能电池片光注入方法用于晶体硅太阳能电池片光注入系统，光注入系统包括预热设备、激光器模组和冷却设备，光注入方法包括：控制预热设备对太阳能电池片进行预热处理；控制激光器模组发射激光，以辐照预热处理后的太阳能电池片；控制冷却设备对激光辐照后的太阳能电池片进行降温处理。如此，使得太阳能电池片的光注入能量较高，光注入电池片电流诱导衰减(Carrier Induced Degradation，CID)明显下降。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 太阳能电池 注入 方法 及其 系统 电池 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
