[发明专利]基于二氧化钒的可调谐阵列集成宽带太赫兹吸波谐振器有效
| 申请号： | 202110465365.1 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113241531B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 宋金会;李子兴;王志立;张西京;孟德峰;柳永博 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H01Q17/00 | 分类号： | H01Q17/00;H05K9/00 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 隋秀文;温福雪 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于二氧化钒的可调谐阵列集成宽带太赫兹吸波谐振器，自下而上为底部的金属反射层、中间介质层、二氧化钒相变层、石墨烯可调电导率层以及顶层导电电极和成周期阵列排布的金属谐振腔。金属谐振腔通过设计特定的几何参数和结构，使得整个超材料吸波结构在特定频率的地方发生电磁谐振，利用二氧化钒的热致相变性质，在半导体相态和金属相态时光学、电学参数有巨大的变化，设计了较高调制深度的吸波结构，并基于石墨烯的可调电导率性质，通过外加电压改变其费米能级，改变吸波结构的介电参数，使得吸收的波长范围发生改变。结合这两种材料的调谐特性，从而实现通过热/电主动调谐宽带吸收器，而且设计的结构与工艺兼容，易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化 调谐 阵列 集成 宽带 赫兹 谐振器 | ||
【主权项】：
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