[发明专利]NORD闪存器件结构及其制作方法

摘要

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种NORD闪存器件结构及其制作方法。其中结构包括栅极结构和位于栅极结构两侧的源漏结构；栅极结构包括：选择栅结构，以及在选择栅结构两侧形成轴对称的第一分栅结构和第二分栅结构；第一分栅结构和第二分栅结构均包括由层叠的浮栅结构和控制栅结构；选择栅结构的下端延伸至基底层中。其中方法包括提供基底层；在基底层上形成浮栅层和控制栅层；定义出第一分栅区、第二分栅区和选择栅区；进行分栅刻蚀，由上至下依次刻蚀去除选择栅区位置处的控制栅层、浮栅层和部分基底层，形成选择栅沉积槽；选择栅沉积槽的下端，从选择栅区位置处的基底层上表面向下延伸；在选择栅沉积槽中制作形成选择栅结构。