[发明专利]CMOS光学传感器的深槽隔离结构形成方法有效
| 申请号： | 202110467244.0 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113224099B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 沈宇栎;吴长明;冯大贵;王玉新;余鹏;杜闫 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS光学传感器的深槽隔离结构形成方法，对沟槽的刻蚀采用Bosch工艺进行包含刻蚀和沉积的N个反复的循环步骤；每个循环步骤包含：A步骤，在半导体衬底上刻蚀形成初始沟槽，再沉积一层聚合物保护层保护住沟槽的侧壁，然后对沟槽底部向下进行刻蚀；B步骤，去除沟槽侧壁的聚合物保护层，对沟槽底部及沟槽侧壁进行全局的刻蚀；C步骤，在整个结构表面沉积一层聚合物保护层；沉积完成之后，再返回执行A步骤，以此完成循环步骤；每完成一个循环步骤，沟槽的深度向下加深一段；通过控制循环步骤的循环次数以及循环内每步骤的工艺时间梯度，最终刻蚀的沟槽形成开口及底部收缩、中间膨胀的酒桶型剖面形貌。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 光学 传感器 隔离 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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