[发明专利]CMP研磨方法在审
| 申请号： | 202110467282.6 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113223956A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 李志国;徐杰;宋振伟 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/321;H01L21/28;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种CMP研磨方法，首先，在炉管内淀积完多晶硅薄膜之后，进行氧化工艺，在多晶硅层的表面生成一层氧化硅薄膜；然后采用DSTI CMP工艺做研磨加工，去除凸起图形处多晶硅薄膜表面的氧化硅薄膜，包括STI区域、有源区以及隔离区；最后进行针对多晶硅薄膜的多晶硅CMP工艺。本发明利用氧化膜CMP工艺的高选择比先取出凸起处的氧化硅薄膜，研磨终止于多晶硅薄膜，然后再利用多晶硅CMP工艺的高选择比增加工艺窗口，去除残留的多晶硅，更有效地解决多晶硅残留问题，同时兼顾解决了研磨过度导致的凹陷的问题。 | ||
| 搜索关键词： | cmp 研磨 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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