[发明专利]存储单元及其数据写入和读取方法、存储器、电子设备在审
| 申请号： | 202110467444.6 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113328034A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 杨美音;罗军;崔岩;许静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L27/22;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘贺秋 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了存储单元及其数据写入和读取方法、存储器、电子设备。该存储单元包括半导体基底、第一绝缘介质层、铁电薄膜层、底电极、隧道结、第一金属互连部、第二金属互联部、第三金属互联部及第四金属互联部。第一绝缘介质层形成于半导体基底上，铁电薄膜层设置于第一绝缘介质层上，底电极形成于铁电薄膜层上，隧道结形成于底电极上。第一金属互连部与底电极的第一端连接，第三金属互连部与底电极的第二端连接。第二金属互连部与铁电薄膜层连接，第四金属互连部与隧道结连接。与现有技术相比，本发明能够基于设置的铁电薄膜层控制隧道结中的磁矩定向翻转。本发明基于存储器件单元结构设计，无需外设磁场，充分满足了器件高集成度的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 及其 数据 写入 读取 方法 存储器 电子设备 | ||
【主权项】：
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