[发明专利]浮栅分栅闪存器件结构及其制造方法

摘要

本申请涉及半导体存储器制作技术领域，具体涉及一种浮栅分栅闪存器件结构及其制造方法。其中结构包括：栅极结构和位于栅极结构两侧的源漏结构，该栅极结构包括位于中间的选择栅结构，以及在选择栅结构两侧形成轴对称结构的第一分栅结构和第二分栅结构；第一分栅结构和第二分栅结构均包括由下至上依次层叠的浮栅结构和控制栅结构；浮栅结构包括上层浮栅结构和下层浮栅结构；下层浮栅结构包括：下层浮栅主体部，位于下层浮栅主体靠近选择栅结构一侧的中部，形成向选择栅结构延伸的下层浮栅延伸部；上层浮栅结构位于下层浮栅主体部上。该制造方法用于制造上述浮栅分栅闪存器件结构。本申请能够增强微缩闪存器件控制栅的控制能力，减小器件漏电。