[发明专利]具有微流道的半导体结构、芯片堆叠结构以及制备方法有效
| 申请号： | 202110469071.6 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113241332B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 曹立强;陈钏 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/46;H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴区太湖国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有微流道的半导体结构、芯片堆叠结构以及制备方法，通过在半导体基板上形成阻挡层并对阻挡层进行刻蚀以得到填充槽，通过对部分厚度的半导体基板的进行刻蚀以得到初始微流道本体，之后通过对初始微流道本体侧部的半导体基板进行横向刻蚀以得到微流道本体，随后形成微流道进出口使微流道进出口与微流道本体连通，从而得到微流道，由于填充槽的宽度较小，因此容易在填充槽中形成密封层，且密封层并不会填充微流道本体。仅需一个半导体基板即可得到微流道，无需使用硅‑硅直接键合技术，降低了对半导体基板的表面清洁度要求和平整度要求，进而降低了制备难度和复杂度，制备方法简单。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 微流道 半导体 结构 芯片 堆叠 以及 制备 方法 | ||
【主权项】：
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