[发明专利]一种非晶氧化铟钨靶材及其制备方法有效
| 申请号： | 202110469127.8 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113233872B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 刘文杰;钟小华;童培云;朱刘 | 申请（专利权）人： | 先导薄膜材料（广东）有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/622;C23C14/08;C23C14/24 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文 |
| 地址： | 511517 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非晶氧化铟钨靶材及其制备方法，涉及非晶氧化物半导体技术领域。本发明所述非晶氧化铟钨靶材的制备方法包括如下步骤：(1)制备氧化铟、三氧化钨细混料；(2)取部分细混料造粒，制备粗混料；(3)分别烧结细混料和粗混料；(4)对烧结后的细混料进行球磨，然后将其与烧结后的粗混料混合，加水，静置；(5)将静置后的物料压制成坯体；(6)烧结坯体，得到所述非晶氧化铟钨靶材。本发明以上述方法制备非晶氧化铟钨靶材，未使用其他添加剂，工艺更环保，并且靶材在蒸镀过程中不开裂或连续喷溅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 铟钨靶材 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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