[发明专利]双凹槽阶梯缓冲栅4H-SiC金属半导体场效应管及建模仿真方法在审
| 申请号： | 202110469670.8 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113206156A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 张现军;李娜;邱恒远;游娜;王明甲;秦浩华;覃庆良;冯宇平;孙绍华 | 申请（专利权）人： | 青岛科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/812 | 分类号： | H01L29/812;H01L29/06;H01L29/10;G06F30/367 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 江鹏飞 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种双凹槽阶梯缓冲栅4H‑SiC金属半导体场效应管及建模仿真方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明包括4H‑SiC半绝缘衬底层、P型缓冲层、第一凹槽和第二凹槽、N型沟道层；N型沟道层的上端面分别为源极帽层和漏极帽层，栅极与N型沟道层的上表面之间设置阶梯缓冲栅层；由漏极向栅极方向延伸一定距离形成场板，漏极与栅极之间设置钝化层Si |
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| 搜索关键词： | 凹槽 阶梯 缓冲 sic 金属 半导体 场效应 建模 仿真 方法 | ||
【主权项】：
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