[发明专利]一种无掩膜光学双面光刻装置在审

专利信息
申请号: 202110469869.0 申请日: 2021-04-29
公开(公告)号: CN113341658A 公开(公告)日: 2021-09-03
发明(设计)人: 袁翔;刘炳林;施泽平;吴闻彬 申请(专利权)人: 华东师范大学
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 代理人: 徐筱梅;张翔
地址: 200241 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种无掩膜光学双面光刻装置,包括图像光路系统、成像光路系统、基片承载系统及光刻电子系统;本发明通过计算机控制LCD控制器以控制液晶显示LCD模组的信号传输,将计算机生成的图样投射到涂有光刻胶的基片表面,完成无掩膜版的曝光及光刻。本发明采用两套成像光路系统,且两套成像光路系统相对于基片承载系统真空吸盘上的基片呈镜像设置,实现无掩膜多尺度光刻和双面光刻的功能。本发明以低成本实现无掩膜多尺度光刻和双面光刻功能。本发明可用于在基片双面制作图形,有效解决了现有技术中制作压力传感器及背面引线的离子敏感器件需双面精细加工的难题,为中小科研单位应用光刻技术提供了新思路。
搜索关键词: 一种 无掩膜 光学 双面 光刻 装置
【主权项】:
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