[发明专利]一种半导体制冷器件有效
| 申请号： | 202110470232.3 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113193103B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 项晓东;冯锴;张鹏;顾川川 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L35/28 | 分类号： | H01L35/28;H01L35/02;H01L35/04 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体制冷器件，包括：供电单元、第一半导体结构、第二半导体结构、第一载流子传导结构、第二载流子传导结构；供电单元包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极存在电势差；第一载流子在电势差的作用下吸收热量后经第一载流子传导结构至第二半导体结构；第一载流子传导结构远离第一半导体结构的一侧形成制冷端；第二载流子在电势差的作用下释放热量后经第二载流子传导结构至第一电极；第一电极远离第二载流子传导结构的一侧形成散热端。本发明解决了现有技术中采用掺杂或者微结构的方法来提高热电材料的热电品质因子ZT，存在理论极限以及导致的材料稳定性和实验可重复性较差的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 制冷 器件 | ||
【主权项】：
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