[发明专利]一种基于F-P干涉原理的芯片封装静电测量传感器有效
| 申请号： | 202110470636.2 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113281579B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 张嘉伟;陈俊辉;王力;付庚 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | G01R29/12 | 分类号： | G01R29/12 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 曾庆喜 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于F‑P干涉原理的芯片封装静电测量传感器，包括电容扫描探头，光纤电场传感器，光纤传感器解调仪，计算机；本发明使用尺寸为0.4×0.2mm的贴片电容(0.1pF)进行芯片表面电荷的感应，从而构成电容扫描探头，能够有效的扫描芯片表面不同的位置，得到芯片表面的静电分布；敏感器件采用压电陶瓷片，结合光学测量技术能实现对电场测量的精准性和快速性，同时光纤与陶瓷插针和连接使用可以更好的保证光信号的传输。本发明装置具有结构简单、测量精度高、使用稳定性好、抗干扰能力强等优点，可广泛应用于芯片制造和科研领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 干涉 原理 芯片 封装 静电 测量 传感器 | ||
【主权项】：
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