[发明专利]一种用于低频噪声控制的盘绕型亥姆霍兹共振器在审
| 申请号： | 202110471153.4 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113192481A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 崔洪宇;胡召平;胡昊明;龚光明;尹晓开 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | G10K11/172 | 分类号： | G10K11/172 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 温福雪 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于噪声控制技术领域，公开了一种用于低频噪声控制的盘绕型亥姆霍兹共振器，该超材料结构由盘绕通道层和空气背腔两部分组合而成，其中盘绕通道层包括n层通道层和n+1层穿孔板。通过将空气通道设置为盘绕型，可以在不增加亥姆霍兹共振器厚度的情况下，延长声波传输路径，达到低频吸声的效果。与传统的亥姆霍兹共振器相比可以在占用更小空间体积的情况下，实现低频噪声的吸收。所述盘绕型亥姆霍兹共振器选用硬边界材料制备，材料选用广泛，制备简单，易于装配，具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 低频 噪声控制 盘绕 型亥姆霍兹 共振器 | ||
【主权项】：
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