[发明专利]一种过渡金属硫化物材料图案化的制备方法和产品在审
申请号: | 202110471438.8 | 申请日: | 2021-04-29 |
公开(公告)号: | CN113265635A | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 张雪峰;杨鑫;张骐 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/04;C23C14/06;C23C14/14;C23C14/58;H01L21/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310018 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明涉及一种过渡金属硫化物材料图案化的制备方法和产品,利用简单可控的磁控溅射镀膜法在衬底材料上直接制备出厚度均匀的过渡金属薄膜,再进行RIE反应离子刻蚀,利用具有化学反应性的气体与过渡金属薄反应,形成图案化的过渡金属薄膜,最后将图案化的过渡金属薄膜放入管式炉,利用硫粉升华与过渡金属发生反应进行硫化,最后生成图案化的硫化物,为二维材料在电子学与光电子学器件领域提供前瞻性工作。 | ||
搜索关键词: | 一种 过渡 金属 硫化物 材料 图案 制备 方法 产品 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学,未经杭州电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110471438.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类