[发明专利]一种TOPCon太阳能电池的制备方法在审
| 申请号： | 202110473045.0 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113193082A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 孙玉峰;瞿辉;曹玉甲 | 申请（专利权）人： | 常州顺风太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B33/10;C30B33/02;C30B33/00;C30B31/08 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 朱晓凯 |
| 地址： | 213123 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TOPCon太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：1)以N型硅片作为衬底进行清洗制绒；2)正面硼扩散；3)背面进行酸清洗、刻蚀；4)制遂穿氧化层以及多晶硅层：先双面生产一层氧化层，后采用分步法进行双面多晶硅层的制备；5)背面磷扩散：采用两步沉积法，先进行低温沉积低温推进，然后再进行高温沉积推进，后降温退火；6）去除正面PSG,去除正面整面多晶硅层；7）去BSG/PSG；8）双面钝化；9）印刷烧结。本发明通过双面生长Poly Si的工艺很好的解决了Poly Si绕镀的清洗问题；同时可有效提升电池的转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 topcon 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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