[发明专利]硫锗镁锂中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202110473493.0 申请日: 2021-04-29
公开(公告)号: CN113174640B 公开(公告)日: 2022-05-10
发明(设计)人: 潘世烈;李俊杰;艾力江·阿卜杜如苏力;王鹏 申请(专利权)人: 中国科学院新疆理化技术研究所
主分类号: C30B29/46 分类号: C30B29/46;C30B11/02;G02F1/355
代理公司: 乌鲁木齐中科新兴专利事务所(普通合伙) 65106 代理人: 张莉
地址: 830011 新疆维吾尔*** 国省代码: 新疆;65
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摘要: 发明涉及一种硫锗镁锂中远红外非线性光学晶体及制备方法和用途,该晶体的化学式为Li4MgGe2S7,分子量为421.67,结晶于单斜晶系,空间群为Cc,晶胞参数为a=16.872(6)Å,b=6.711(2)Å,c=10.156(4);α=90°,β=95.169(5)°,γ=90°,V=1145.3(7)Å3。硫锗镁锂为无色透明的非中心对称结构晶体,以[LiS4],[MgS4]和[GeS4]四面体组成结构基元。采用高温熔体自发结晶法或坩埚下降法制备,可用于制备红外波段激光频率的转换、红外激光制导、红外激光雷达、能源探测、远距离激光通讯中的用途。所获得的硫锗镁锂中远红外非线性光学晶体具有优异的光学性能,其红外吸收截止边长,带隙宽,激光损伤阈值高,非线性光学系数大。在高功率红外激光系统中具有重要的应用价值。
搜索关键词: 硫锗镁锂中远 红外 非线性 光学 晶体 制备 方法 应用
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