[发明专利]一种具有低漏电高稳定性的沟槽型SGT-MOS器件制造方法在审
| 申请号： | 202110475043.5 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113224151A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 高耿辉;苏柳青 | 申请（专利权）人： | 厦门吉顺芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 郭东亮;蔡学俊 |
| 地址： | 361021 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提出一种具有低漏电高稳定性的沟槽型SGT‑MOS器件，所述器件的外延层（1）处设有若干内置有多晶固体（15）的沟槽（12）；所述多晶固体呈I型结构；所述沟槽的底部及内侧壁处均设有与多晶固体贴合的绝缘层；所述沟槽内侧壁处的绝缘层的顶部低于外延层，使绝缘层、外延层和多晶固体的侧壁围成位于I型多晶固体侧壁处的两个介质槽（18）；所述绝缘层为包括第一绝缘结构（13）、第二绝缘结构（14）的组合结构；本发明改善了器件内部两侧的介质槽生长介质时，介质厚度不均，厚度不容易控制，栅极与源极的漏电大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 漏电 稳定性 沟槽 sgt mos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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