[发明专利]半导体器件的制备方法、半导体器件及存储装置在审
| 申请号： | 202110475452.5 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113257739A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 田武;孙超 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/06;H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 李健 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制备方法、半导体器件及存储装置，本发明提供的半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，衬底包括预设的第一区域和第二区域；对第二区域进行氮离子掺杂；在第一区域和第二区域上分别形成第一栅氧化层和第二栅氧化层；以及，形成第一电极与第二电极分别于第一栅氧化层与第二栅氧化层上，从而能够制备具有不同栅氧化层的半导体器件，同时还能解决半导体器件中栅氧化层变薄时单位面积电容降低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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