[发明专利]压电MEMS硅谐振器及其形成方法、电子设备有效
| 申请号： | 202110475600.3 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113472307B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 张孟伦;杨清瑞;宫少波 | 申请（专利权）人： | 广州乐仪投资有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H3/02 |
| 代理公司： | 北京汉智嘉成知识产权代理有限公司 11682 | 代理人： | 姜劲;谷惠敏 |
| 地址： | 510805 广东省广州市花都区绿港三*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种压电MEMS硅谐振器及其形成方法，以及电子设备。该压电MEMS硅谐振器包括：硅基底；下空腔，下空腔的顶平面高于或者低于基底的顶平面；位于下空腔之上的保留硅层；位于保留硅层之上的压电层和上电极。形成方法包括：提供硅基底；在硅基底之上依次形成牺牲硅层、保留硅层、压电层和上电极；开刻蚀窗，去除牺牲硅层以形成下空腔，其中，牺牲硅层为第二掺杂浓度P型掺杂的情况下，硅基底与保留硅层二者中之一为普通N型掺杂，二者中另一为第一掺杂浓度P型掺杂，或者，牺牲硅层为第二掺杂浓度N型掺杂的情况下，硅基底与保留硅层二者中之一为普通P型掺杂，二者中另一为第一掺杂浓度N型掺杂，所述第一掺杂浓度大于所述第二掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 mems 谐振器 及其 形成 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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