[发明专利]提高晶体质量的发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110476207.6 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113410354B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 王群;郭志琰;葛永晖;郭炳磊;董彬忠;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种提高晶体质量的发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂的氮化镓层、N型层、有源层、复合P型层、以及复合P型接触层；所述复合P型层包括第一P型层和经过氟等离子体处理的第二P型层，所述第一P型层为氮化镓层，所述第二P型层为掺氟的氮化镓层；所述复合P型接触层包括第一接触层和经过氟等离子处理的第二接触层，所述第一接触层为氮化镓层，所述第二接触层为掺氟的氮化镓层。采用该发光二极管外延片可以在提高空穴浓度的同时，减少Mg的掺杂，保证有源层的晶体质量，提高外延片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 晶体 质量 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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