[发明专利]磁存储器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110476211.2 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113314666A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 李乾铭;林世杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/04 | 分类号： | H01L43/04;H01L43/08;H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 磁存储器件包括自旋轨道扭矩(SOT)感应自旋霍尔电极和设置在自旋霍尔电极上的磁隧道结(MTJ)堆叠件的自由层，自由层是合成反铁磁结构。自由层具有磁矩，该磁矩相对于MTJ堆叠件的长轴倾斜，并且相对于电流流过自旋霍尔电极的方向倾斜。MTJ堆叠件内部产生磁场以切换自由层的状态。自由层包括通过间隔层与第二层隔开的第一层，其中第一层和第二层可以具有相同或不同的晶体结构。本申请的实施例提供了磁存储器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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